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半導體設備行業深度報告:國產突破正加速,迎來中長期投資機會(8)

發布時間:2020年05月14日 01:57 來源:網絡搜索 手機版

去膠機:在半導體制造工藝中,光刻膠只是起到圖形轉移的媒介作用,在完成圖形轉移后,需要將光 刻膠完全去除,以避免殘留的光刻膠影響后續工藝質量。去膠機主要用于圓片刻蝕后其表面作為阻擋層的 光刻膠的去除,適用于 50-300mm 圓片的處理。

去膠分為干法去膠和濕法去膠。干法去膠主要采用等離子體,利用氧等離子活性單原子氧與光刻膠反 應,生成易揮發物,達到去膠的目的。干法去膠適用于大部分工藝,去膠效率高、可靠性高、容易自動化, 但是殘留物容易導致表面缺陷。濕法去膠采用有機溶劑和無機溶劑,利用溶解或化學反應等方法去膠。濕 法去膠不同溶劑有不同局限,一般作為干法去膠的補充,優點是工藝簡單、去膠干凈,缺點是去膠速度慢、 去膠液成本高且污染環境。

屹唐半導體占有全球去膠機市場 11%份額,國內市場自給率達 81%。全球去膠機整體市場約 5 億美 金,占半導體設備市場約 1%,主要供應商包括 PSK、泛林半導體、Hitach、屹唐半導體、Ulvac 等,前五 大廠商占據 97%的市場份額,市場競爭相對集中。從國內部分晶圓產線招標情況看,屹唐半導體在國內占 主導地位,市占率達 81%,國產化率較高,泛林半導體和 Screen 分別占 17%和 2%。此外,國內廠商芯源 微和中電科 45 所也可生產去膠機。

屹唐半導體:成立于2015年,亦莊國投通過屹唐半導體以約3 億美元收購美國半導體設備廠商Mattson。Mattson 為全球 12 英寸晶圓廠提供干法去膠、干法刻蝕、RTP(快速熱處理) 、測量等設備,三類設備設備 在各自領域都位于世界前三,主要客戶為全球領先的芯片制造廠商。(略)

2.2 刻蝕環節:中微和北方華創具備競爭力,份額有望持續提升?

刻蝕(Etch)是 IC 制造中相當重要的工藝,成本僅次于光刻(刻蝕 20%,光刻 30%),與光刻相聯 系的圖形化處理?涛g,狹義上就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,然后通過其它方 式實現腐蝕處理掉所需除去的部分?涛g是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過 程,其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。

按照原理不同,刻蝕可分為干法和濕法兩種,其中干法刻蝕工藝占比 90%以上。干法刻蝕是用等離子 體進行薄膜刻蝕的技術,濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,濕法刻蝕由于需要大量 對人體和環境有害的腐蝕性化學試劑,逐步被干法刻蝕替代。

按被材料不同,刻蝕可分為硅刻蝕、介質刻蝕和金屬刻蝕等,其市場占比分別為 47%、48%和 3%。?介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕,如二氧化硅,接觸孔和通孔結構的制作需要刻蝕介質,而具有高深寬比 (窗口的深與寬的比值)的窗口刻蝕具有一定的挑戰性。硅刻蝕應用于需要去除硅的場合,如刻蝕多晶硅 晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復合層,制作出互連線。

根據等離子體產生和控制技術的不同,可分為電容耦合等離子體(CCP)刻蝕機和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕機。CCP 刻蝕利用電容耦合產生等離子體,一般用于介質刻蝕,涵蓋邏輯芯片柵側墻和硬掩 膜刻蝕、中段的接觸孔刻蝕、后段的鑲嵌式和鋁墊刻蝕、3D NAND 的深槽、深孔和連線接觸空的刻蝕等;而 ICP 刻蝕利用電感線圈耦合產生等離子體,一般用于硅刻蝕和金屬刻蝕,涵蓋硅淺溝槽,鍺、多晶硅柵、 金屬柵、應變硅、金屬導線、金屬 pad、鑲嵌式刻蝕金屬硬掩膜和多重成像。 http://www.fyeahblog.com/chaogumoni/181340.html

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