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半導體設備行業深度報告:國產突破正加速,迎來中長期投資機會(6)

發布時間:2020年05月14日 01:57 來源:網絡搜索 手機版

ASML 成立于 1984 年,總部位于荷蘭,是全球最大的半導體設備制造商之一,為全球絕大多數集成電 路生產企業提供光刻機及相關服務,擁有全球最先進的光刻技術水平,主要核心競爭力為雙工件臺、浸沒 式光刻應用和 EUV 光刻。ASML 所生產的 EUV 光刻機能夠滿足 5nm/7nm 工藝制程。根據 ASML 年報披露, 其 2015 年至 2017 年 IC 前道晶圓制造光刻機銷售臺數分別為 169 臺、157 臺和 198 臺,在 IC 前道制造領 域處于絕對壟斷地位。2019 年 ASML 交付 26 臺 EUV 光刻機,遠超 18 年的 18 臺,預計 2020 年交付 35 臺 EUV 光刻機,2021 年則會達到 45-50 臺的交付量,是 2019 年的兩倍左右,單臺售價超過 1 億美金。

不同光刻領域布局看,ASML、Nikon、Canon 以及大陸上海微電子四家企業具備晶圓前道能力。而在 后道封裝/LED 光刻上,上海微電子、奧地利 EVG、德國 SUSS、美國 Veeco、美國魯道夫等有產品線覆蓋, 而本土除上海微外還有中電科 48 所、中電科 45 所等參與晶圓前道光刻機研發。本土其他與光刻相關廠商主要集中在掩膜對準、電子束曝光、激光直寫等環節,包括影速光電、金盛微納、新諾科技、合肥芯碁等。核心光刻機曝光系統部件的大陸涉及單位包括國望光學、長春國科精密光學、上海/長春光機所等,光刻雙 工件臺大陸廠商有北京華卓精科,是繼 ASML 后成為世界上第二家掌握雙工件臺核心技術的公司。

隨著先進制程從10nm往5nm/3nm節點演進,邏輯芯片晶圓制造中光刻價值占比從25%提升至35%+, 提升較明顯。DRAM 從 1X 往 1A 演進,也將帶動光刻價值占比從 24%提升至 27%。設備端看,EUV 和 ArFi 光刻機占比約 8 成,其中 EUV 光刻占比提升顯著,國內廠商有望從 ArF 和 KrF、I-Line 光刻機等逐步切入。

上海微電子:是國內第一家、全球少數幾家掌握中高端光刻機技術的公司,產品廣泛應用于集成電路 產業鏈 IC 前道晶圓制造、IC 后道先進封裝、平板顯示以及高亮度 LED 等領域。在 IC 前道制造領域,完成 我國首臺 90nm 節點 ArF 光刻樣機的研制和上線驗證,目前正在研制下一代 28nm 工藝節點用浸沒光刻機;IC 后道先進封裝光刻機在大陸市場處于主導地位,全球市場也領先;平板顯示領域,公司曝光機(光刻機) 已進入本土面板產線;在高亮度 LED 領域,公司研制的 LED 光刻機在大陸以及全球市場均處于主導地位。

2.1.2 涂膠顯影設備:整體國產化率不足 5%,芯源微/盛美國內占據一定市場?

光刻工藝流程為:脫水烘烤→旋轉涂膠→軟烘→曝光→曝光后烘烤→顯影→堅膜烘烤→顯影檢查。各 步驟如下:?(1)旋轉涂膠:通過旋轉方式在硅片涂上液相光刻膠材料;(2)軟烘:涂膠后,對硅片進行軟 烘,除去光刻膠中殘余的溶劑,提高光刻膠的粘附性和均勻性;(3)曝光:使用紫外光照射,未受掩膜遮 擋部分的光刻膠發生曝光反應,實現電路圖從掩膜到硅片上的轉移;(4)曝光后烘烤:以一定溫度烘烤曝 光后的硅片,目的是降低駐波效應的影響以及使化學反應更充分;(5)顯影:使用化學顯影液溶解由曝光 造成的光刻膠可溶解區域,使可見圖形出現在硅片,并區分需要刻蝕的區域和受光刻膠保護的區域;(6) 堅膜:對顯影后的光刻膠加熱烘干,促使光刻膠與硅片粘著牢固,提高其強度;(7)顯影檢查:區分那些 有很低可能性通過最終掩膜檢驗的晶圓,提供工藝性能和工藝控制數據及分揀出需要重做的晶圓。 http://www.fyeahblog.com/chaogumoni/181340.html

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