從技術水平來看，刻蝕、鍍膜、清洗設備的國產化水平已接近國際主流廠商，在先進的 28/14nm 晶圓 代工產線和 3D NAND 等存儲產線批量應用，中微的介質刻蝕機更是進入臺積電的 7nm/5nm 產線。而光刻、 離子注入、量測設備相對較國際主流水平有一定差距。國產光刻機目前最高到 90nm 制程節點，在功率等特色工藝線上有所突破；離子注入主要在光伏及 45-22nm 低能大束流方面取得突破；量測設備主要集中在 膜厚等關鍵尺寸測量上。而其他封測設備如探針臺、測試機、分選機等在數字芯片等先進應用上仍有差距。

對于半導體設備國產化的機會，我們認為突破容易程度為：?（1）產品上，功率器件 數字模擬器件 邏 輯芯片；（2）制程上，特色工藝 成熟制程（28nm 及以上） 先進制程；（3）尺寸上，4-6 寸 8 寸 12 寸。

從本土晶圓線最新設備招標數據看，2019 年度，8 英寸特色工藝為代表的積塔半導體國產化設備采購 率為 34%，高于華虹無錫的 12 寸成熟工藝線（90-65/55nm）的 27%國產化率，更高于華力微的 12 寸先進制程（90-65/55nm）產線的 9%。而 2019 年由于長江存儲處于一期量產關鍵階段，整體依然以存儲制程突 破為主，設備國產化率較低為 7%，2020 年擴產時的新采購設備其國產化率大幅提升，提升至 15.7%。

具體設備環節來看，刻蝕、鍍膜、氧化擴散熱處理、清洗等環節相對國產化率較高，基本上超過 15%；光刻、離子注入、過程工藝、測試等設備國產化率較低，不超過 5%；上海微電子在積塔 8 寸特色產線取 得光刻設備供應的突破。隨著長江存儲的工藝成熟度提升，3D NAND 產線的設備采購國產化率從 2017 年 的 2.2%，2018 年 9.6%，2019 年 7.2%，提升至 2020 年的 15.7%。其中，刻蝕設備、清洗設備、研磨拋光 設備、氧化擴散設備等國產化率這幾年來顯著提升。

大力發展晶圓產線給本土設備企業帶來配套機會。先進/成熟制程產線包括：中芯北方（12 寸 28nm）、 中芯南方（12 寸 14nm），華力集成二期（12 寸 28/14nm）；華虹無錫（12 寸 90-65nm），士蘭微廈門（12 寸 90nm）， 晶合集成（12 寸 180-55nm）、萬國重慶（12 寸 90nm）、 粵芯和青島芯恩（12 寸 180-130nm）。

特色工藝線：中芯國際紹興/寧波/天津（8 寸）、士蘭微（8 寸）、積塔上海（8 寸）、燕東微北京（8 寸）等。8 英寸晶圓代工涉及功率、模擬、CIS、電源管理等產品，下游需求穩健，疊加 8 寸產能有限，本土企業在特色工藝具備競爭力，有望迎來市占率提升，帶動特色工藝相關設備的營收提升。

存儲產線：長江存儲、合肥睿力在 2020 年進入產能爬坡期，帶動設備需求大增。19 Q4 長江存儲產能 在 2 萬片/月，2020 年底擴產至 5 萬片/月，2021 年底到 10 萬片/月，2023 年擴產至 30 萬片/月。合肥睿 力一期產能 12 萬片/月，目前 2 萬片/月，2020 到 4 萬片/月，后續將視情況進行擴產計劃。此外，紫光集 團在重慶計劃設立 DRAM 產線，在南京/成都設立存儲基地等。存儲作為大類標準品，對成本敏感，定制 化需求較少，對設備要求相對數字邏輯芯片較低，本土存儲企業長期規劃清晰，設備企業有望持續受益。

國內半導體設備廠商在各自優勢環節逐漸突破本土不同類型的晶圓產線。中微公司的介質刻蝕機在華 力微、華虹無錫、長江存儲份額維持在 15%左右；北方華創的氧化/擴散/熱處理設備在存儲產線份額達 32%， 在華力微和華虹無錫分別為 6.3%和 3.8%，而刻蝕和薄膜沉積相對份額較��；盛美半導體的清洗設備份額 穩定，在三條晶圓線分別維持在 14%-18%；華海清科的 CMP 設備份額在華虹無錫和長江存儲分別為 22.2% 和 14.9%，在華力微為 9.1%；其他屹唐、沈陽拓荊、沈陽芯源、北京中科信、上海睿勵、上海精測在熱處 理設備、鍍膜設備、涂膠顯影設備、離子注入、膜厚測量等設備上占據一定份額，提升空間較大。 http://www.fyeahblog.com/chaogumoni/181340.html