從技術水平看，刻蝕/鍍膜/清洗/CMP/熱處理等設備的國產化水平較高，在先進的 28/14nm 晶圓線和 存儲線批量應用，份額逐年提升，基本超過 15%；而光刻、涂膠顯影、離子注入、量測設備、測試分選等 環節相較國際水平有一定差距，但也有份額突破，不超過 5%。國產光刻機目前最高到 90nm 節點，在功率 等特色工藝線有所突破；離子注入在光伏及 45-22nm 低能大束流方面取得突破；量測設備主要集中在膜厚 等關鍵尺寸測量上。而其他封測設備如探針臺、測試機、分選機等在數字芯片等先進應用上仍有差距。
大陸半導體進口替代正加速，建議關注：北方華創（刻蝕/鍍膜/熱處理/清洗）、中微公司（刻蝕/鍍膜）、 盛美（清洗）、至純科技（高純工藝/清洗） 、上海微電子（光刻機）、華海清科/中科信（CMP）、中電 48 所 /萬業企業（離子注入）、屹唐（刻蝕/熱處理/去膠）、 沈陽拓荊（PECVD）、 芯源微（涂膠顯影/去膠/清洗） 、 上海精測/上海睿勵（過程控制測試）、長川科技/華峰測控/華興源創（測試分選）、晶盛機電（硅片長晶） 。
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（報告觀點屬于原作者，僅供參考。報告來源：中信建投）
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