從技術水平看,刻蝕/鍍膜/清洗/CMP/熱處理等設備的國產化水平較高,在先進的 28/14nm 晶圓線和 存儲線批量應用,份額逐年提升,基本超過 15%;而光刻、涂膠顯影、離子注入、量測設備、測試分選等 環節相較國際水平有一定差距,但也有份額突破,不超過 5%。國產光刻機目前最高到 90nm 節點,在功率 等特色工藝線有所突破;離子注入在光伏及 45-22nm 低能大束流方面取得突破;量測設備主要集中在膜厚 等關鍵尺寸測量上。而其他封測設備如探針臺、測試機、分選機等在數字芯片等先進應用上仍有差距。
大陸半導體進口替代正加速,建議關注:北方華創(刻蝕/鍍膜/熱處理/清洗)、中微公司(刻蝕/鍍膜)、 盛美(清洗)、至純科技(高純工藝/清洗) 、上海微電子(光刻機)、華海清科/中科信(CMP)、中電 48 所 /萬業企業(離子注入)、屹唐(刻蝕/熱處理/去膠)、 沈陽拓荊(PECVD)、 芯源微(涂膠顯影/去膠/清洗) 、 上海精測/上海睿勵(過程控制測試)、長川科技/華峰測控/華興源創(測試分選)、晶盛機電(硅片長晶) 。
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(報告觀點屬于原作者,僅供參考。報告來源:中信建投)
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