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半導體設備行業深度報告:國產突破正加速,迎來中長期投資機會(18)

發布時間:2020年05月14日 01:57 來源:網絡搜索 手機版

探針臺國產自給率幾乎為 0,本土廠商處于市場導入階段。國內主要有三家:中電 45 所曾一度在國內 市占率達到 67%,但因技術劣勢,市占率被壓縮;長川科技已研發 8 英寸和 12 英寸探針臺,8 英寸已開始 發貨;深圳矽電可量產探針臺。分選機方面,本土廠商國內市占率約 12%,國內廠商有一定突破。本土分 選機企業主要有長川科技(重力式和平移式)、華興源創(平移式、轉塔式)、金海通(平移式)、上海中藝(重力式)等。其中,長川科技已通過長電科技的驗證,實現了批量銷售,華興源創實現了小批量銷售。(略)

四、硅片設備在 6-8 寸具備自給能力,12 寸大硅片建設帶動配套機會

4.1 硅片生長加工設備:長晶爐 8 寸往 12 寸突破,研磨拋光設備國產化較低

硅片制造設備將純凈的多晶硅材料制造成一定直徑和長度的硅單晶棒,然后將硅單晶棒經過一系列的 機械加工、化學處理等工序,制造成具有一定幾何精度要求的硅片或外延片,為集成電路制造提供所需硅 襯底。硅片制備的一般流程為:晶體生長→滾磨/整形→切片→退火→倒角→研磨→刻蝕→拋光→清洗→檢 測,涉及眾多專用設備,其中單晶爐、拋光機和檢測設備是核心設備,其投資額分別占設備投資的 25%、 25%和 15%。

晶體生長工藝主要有直拉法和區熔法,對應設備為直拉單晶爐和區熔單晶爐。直拉法是目前主要的晶 體生長工藝,目前 85%以上的單晶硅通過直拉法生長。熱場系統是直拉單晶爐硅單晶成晶的最重要條件之 一,熱場的溫度直接影響硅單晶直拉過程和成品單晶的質量,因而熱場的結構和效能是直拉單晶爐的核心 技術之一。直拉單晶爐目前的供應商國際上有美國 Linton Crystal 、日本菲洛泰克和德國 PVA TePla,國內 主要有西安理工晶體科技、晶盛機電、京運通、七星華創等。

區熔法生產的硅單晶純度較高,但直徑較小、工藝成本較高,目前能制備的單晶棒直徑最大為 200mm, 主要用于電力電子期間、光敏二極管、射頻探測器和紅外探測器等,供應商國際上有德國 PVA TePla,國內 有西安理工晶體科技、晶盛機電、京運通。

1)單晶爐市場規模約 30 億,國產化率較高,可達 77%。國內 8 英寸單晶爐已逐步開始實現國產化替 代,12 寸單晶爐開始小批量生產(國內僅晶盛機電和南京晶能)。代表廠商晶盛機電 8 英寸單晶爐已產業 化,12 寸單晶爐小批量生產,此外還布局硅片制造其他專用設備,成功研發 6-12 英寸晶體滾圓機、截斷 機、雙面研磨機及 6-8 英寸的全自動硅片拋光機,已逐步批量銷售。

2) 拋光機市場規模約20億,目前國產化率幾乎為0。國內拋光機采購依賴日本Speedfam、日本Fujikoshi、 美國 PR Hoffman、德國 Lapmaster 等,國內廠商如晶盛機電成功研發 6-8 英寸拋光機,中電科、蘇州赫瑞 特電子、湖南宇晶機器等也有生產。

3)檢測設備市場空間巨大,依賴進口,國產化空間較大。檢測環節設備與前道測試/過程控制設備貫 穿于芯片制造環節,檢測設備在前述章節論述。

晶盛機電:布局硅片環節,包括長晶設備、切片設備、加工設備等。2007 年研制出國內首臺全自動直 拉式單晶爐;2009-2011 年承擔了 02 專項中“300mm 硅單晶直拉生長裝備的開發”和“8 英寸區熔硅單晶 爐國產化設備研制”兩個項目;2012 年實現半導體級單晶硅棒的研制,次年成功研制區熔單晶爐;2014 年區熔單晶爐商業化。目前,晶盛機電已成長為國內單晶爐研制的龍頭企業,產品應用于光伏、集成電路、 LED 等,客戶包括有研半導體、鄭州合晶、金瑞泓、天津環歐、中環、宜昌南玻、包頭晶澳等,其中中環 為第一大客戶。

大硅片單晶爐國內供應商稀少,晶盛機電可供應大尺寸硅片單晶爐,業務布局延伸至磨切拋光等設備。國內僅少數半導體設備廠商能供應單晶爐,僅限于 6-10 英寸小硅片,切大硅片均勻性和缺陷密度等關鍵 指標達不到客戶要求。晶盛機電單晶爐可制備 6-18 英寸硅片,滿足下游廠商需求。此外,晶盛機電成功研 發了 6-12 英寸晶體滾圓機、截斷機、雙面研磨機及 6-8 英寸的全自動硅片拋光機,已逐步批量銷售,出貨 體量和營收規模相對于晶體生長設備還比較小。 http://www.fyeahblog.com/chaogumoni/181340.html

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