<menuitem id="x1fjx"></menuitem>
<del id="x1fjx"></del><ins id="x1fjx"></ins><cite id="x1fjx"><noframes id="x1fjx">
<ins id="x1fjx"></ins>
<ins id="x1fjx"></ins>
<ins id="x1fjx"><noframes id="x1fjx"><ins id="x1fjx"></ins><ins id="x1fjx"></ins>
<cite id="x1fjx"><noframes id="x1fjx"><cite id="x1fjx"></cite>
<ins id="x1fjx"></ins>
<cite id="x1fjx"><span id="x1fjx"></span></cite>
<menuitem id="x1fjx"><noframes id="x1fjx"><var id="x1fjx"></var>
歡迎來到:藍點股票綜合網 - 股票分析,炒股知識綜合網
藍點股票綜合網 > 炒股模擬 >

半導體設備行業深度報告:國產突破正加速,迎來中長期投資機會(12)

發布時間:2020年05月14日 01:57 來源:網絡搜索 手機版

在晶圓直徑小于 150mm 的 IC 制造鄰域,國內擴散設備(臥式擴散爐)基本自給自足,相關廠商包括 北方華創、中電科 48 所等;而直徑 300mm 的集成電路制造鄰域,立式擴散爐/氧化爐設備依賴進口,主 要廠商有東京電子、日立國際等,國內僅北方華創可以小批量提供立式擴散爐/退火爐/氧化爐/合金爐。

2.5 離子注入環節:光伏離子注入具備優勢,IC 領域亟待發力?

離子注入機是極大規模集成電路制造工藝中最主要的摻雜設備。與傳統熱摻雜工藝相比,離子注入工 藝具有劑量均勻性與重復性較好,橫向擴散較小的優點,并且它克服了熱摻雜工藝的諸多限制,可以滿足 淺結、低溫和精確控制等要求,提高了集成電路摻雜工藝的質量,降低了成本和功耗。

離子注入工藝是集成電路制造的主要工藝之一。它是指將離子束加速到一定能量(一般在 keV 到 MeV 之間),然后注入固體材料表層內,以改變材料表層物理性質的工藝。在集成電路工藝中,固體材料通常 是硅,而注入的雜質離子通常是硼離子、磷離子、砷離子、銦離子和鍺離子等。注入的離子可以改變固體 材料表層電導率或形成 PN 結,當集成電路的特征尺寸縮小到亞微米后,離子注入工藝得到了廣泛應用。

按照電流大小或離子能量不同,離子注入機可分為中低電流離子注入機、大電流離子注入機和高能離 子注入機。中低電流離子注入機離子束電流小于 10mA,束流能量小于 180keV,適用于穿通注入;大電流 離子注入機離子束電流在 10mA-25mA 之間,束流能量小于 120keV,適用于超淺源漏區注入;高能離子注 入機束流能量在 200keV 至幾個 MeV,適用于溝槽或厚氧化層注入,形成倒摻雜阱和埋層。大電流離子注 入機較為普遍,市場占比約 61%,其次為中低電流離子注入機(20%)和高能離子注入機(18%)。

存儲器(先進制程)和成熟工藝是離子注入使用的兩大主要領域。存儲器尤其是 DRAM 需要大量離子 注入步驟,占據約 44%離子注入設備需求,其中 NAND 需要 37 次離子注入步驟,而 DRAM 需要 55 次離子 注入環節。而成熟制程(28 納米以上)的產品也占據 41%的離子注入設備需求,尤其是 8 寸晶圓線相關的 CIS、MEMS、模擬、功率、MCU 等產品,壁壘相對稍低,而且國內功率/模擬/CIS 等芯片廠商頗具實力, 未來隨著芯片設計和制造份額提升,以上領域是離子注入國產配套機會最為確定的領域。

美國 Eaton 公司和 Varian 公司曾是全球最大的離子注入機制造企業。2002 年,Axcelis 公司從 Eaton 剝 離出來獨立上市;2011 年,應用材料耗資 49 億美元收購了 Varian 公司。Axcelis 近年市場份額逐步提升, 主要與其不斷開拓產品線,并且加碼 DRAM 等存儲環節有關。我們看好本土特色工藝產線、成熟制程產線、 存儲產線上,本土離子注入機廠商的切入機會。

離子注入機市場規模約 15 億美元,全球市場主要被 AMAT 和 Axcelis 兩家占據,合計份額達 88%。2018 年全球離子注入機市場規模達到約 15 億美元,同比增長 12%,2016-2018 年保持兩位數高增長。競爭格局 方面,美國的應用材料公司擁有 70%的市場占有率,美國 Axcelis 擁有約 18%的市場份額,其市占率逐年提 升,向應用材料靠近。日本的住友重機械也有離子注入機,工藝節點為 20-22nm,占有 8%份額。

產線上低能大束流離子注入機占有較高比重,其行業高度集中。由于芯片制程微縮化,淺層摻雜需求 凸顯,低能大束流設備成為主流,占比約 61%。例如,一條 NAND Flash 產線上,約有 37 臺離子注入機, 其中 10 臺高能量,20 臺大束流,7 臺中束流;一條 DRAM 產線上,約需要 55 臺離子注入機,其中 3 臺高 能量,40 臺大束流,12 臺中束流;一條邏輯芯片產線上,約需要 30-40 臺離子注入機,其中約 25-30 臺大 束流,5-10 臺中束流。大束流離子注入機主要由三家龍頭企業掌控。應用材料收購 Varian 公司成為龍頭, 市占率達 40%;其次是 Axcelis,市占率達 32%;第三是 AIBT,市占率達 25%。前三家企業包攬了 97%以上 的市場份額,行業高度集中。 http://www.fyeahblog.com/chaogumoni/181340.html

版權聲明:所有文字來自于網絡搜索和網站公開顯示結果,如有不妥,請聯系刪除。

色婷婷精品大在线视频,国产欧美国产综合第一区,中文字字幕在线乱码,香港三级日本三级韩级