在晶圓直徑小于 150mm 的 IC 制造鄰域，國內擴散設備（臥式擴散爐）基本自給自足，相關廠商包括 北方華創、中電科 48 所等；而直徑 300mm 的集成電路制造鄰域，立式擴散爐/氧化爐設備依賴進口，主 要廠商有東京電子、日立國際等，國內僅北方華創可以小批量提供立式擴散爐/退火爐/氧化爐/合金爐。

2.5 離子注入環節：光伏離子注入具備優勢，IC 領域亟待發力?

離子注入機是極大規模集成電路制造工藝中最主要的摻雜設備。與傳統熱摻雜工藝相比，離子注入工 藝具有劑量均勻性與重復性較好，橫向擴散較小的優點，并且它克服了熱摻雜工藝的諸多限制，可以滿足 淺結、低溫和精確控制等要求，提高了集成電路摻雜工藝的質量，降低了成本和功耗。

離子注入工藝是集成電路制造的主要工藝之一。它是指將離子束加速到一定能量（一般在 keV 到 MeV 之間），然后注入固體材料表層內，以改變材料表層物理性質的工藝。在集成電路工藝中，固體材料通常 是硅，而注入的雜質離子通常是硼離子、磷離子、砷離子、銦離子和鍺離子等。注入的離子可以改變固體 材料表層電導率或形成 PN 結，當集成電路的特征尺寸縮小到亞微米后，離子注入工藝得到了廣泛應用。

按照電流大小或離子能量不同，離子注入機可分為中低電流離子注入機、大電流離子注入機和高能離 子注入機。中低電流離子注入機離子束電流小于 10mA，束流能量小于 180keV，適用于穿通注入；大電流 離子注入機離子束電流在 10mA-25mA 之間，束流能量小于 120keV，適用于超淺源漏區注入；高能離子注 入機束流能量在 200keV 至幾個 MeV，適用于溝槽或厚氧化層注入，形成倒摻雜阱和埋層。大電流離子注 入機較為普遍，市場占比約 61%，其次為中低電流離子注入機（20%）和高能離子注入機（18%）。

存儲器（先進制程）和成熟工藝是離子注入使用的兩大主要領域。存儲器尤其是 DRAM 需要大量離子 注入步驟，占據約 44%離子注入設備需求，其中 NAND 需要 37 次離子注入步驟，而 DRAM 需要 55 次離子 注入環節。而成熟制程（28 納米以上）的產品也占據 41%的離子注入設備需求，尤其是 8 寸晶圓線相關的 CIS、MEMS、模擬、功率、MCU 等產品，壁壘相對稍低，而且國內功率/模擬/CIS 等芯片廠商頗具實力， 未來隨著芯片設計和制造份額提升，以上領域是離子注入國產配套機會最為確定的領域。

美國 Eaton 公司和 Varian 公司曾是全球最大的離子注入機制造企業。2002 年，Axcelis 公司從 Eaton 剝 離出來獨立上市；2011 年，應用材料耗資 49 億美元收購了 Varian 公司。Axcelis 近年市場份額逐步提升， 主要與其不斷開拓產品線，并且加碼 DRAM 等存儲環節有關。我們看好本土特色工藝產線、成熟制程產線、 存儲產線上，本土離子注入機廠商的切入機會。

離子注入機市場規模約 15 億美元，全球市場主要被 AMAT 和 Axcelis 兩家占據，合計份額達 88%。2018 年全球離子注入機市場規模達到約 15 億美元，同比增長 12%，2016-2018 年保持兩位數高增長。競爭格局 方面，美國的應用材料公司擁有 70%的市場占有率，美國 Axcelis 擁有約 18%的市場份額，其市占率逐年提 升，向應用材料靠近。日本的住友重機械也有離子注入機，工藝節點為 20-22nm，占有 8%份額。

產線上低能大束流離子注入機占有較高比重，其行業高度集中。由于芯片制程微縮化，淺層摻雜需求 凸顯，低能大束流設備成為主流，占比約 61%。例如，一條 NAND Flash 產線上，約有 37 臺離子注入機， 其中 10 臺高能量，20 臺大束流，7 臺中束流；一條 DRAM 產線上，約需要 55 臺離子注入機，其中 3 臺高 能量，40 臺大束流，12 臺中束流；一條邏輯芯片產線上，約需要 30-40 臺離子注入機，其中約 25-30 臺大 束流，5-10 臺中束流。大束流離子注入機主要由三家龍頭企業掌控。應用材料收購 Varian 公司成為龍頭， 市占率達 40%；其次是 Axcelis，市占率達 32%；第三是 AIBT，市占率達 25%。前三家企業包攬了 97%以上 的市場份額，行業高度集中。 http://www.fyeahblog.com/chaogumoni/181340.html